氮化硅陶瓷的性能

　　氮化硅陶瓷具有出色的力学性能，热性能，化学稳定性和介电性能。氮化硅陶瓷具有较高的室温强度和断裂韧性，热压烧结致密氮化硅的室温弯曲强度通常为800〜1050MPa，断裂韧性为6〜7MPa·m 1/2.无压烧结和气压烧结的氮化硅陶瓷的机械性能略低。通过SiC晶须进行增韧可以改善氮化硅陶瓷的断裂韧性和强度。热压烧结氮化硅的室温强度可以保持在800℃以上，但是当温度高于1000℃时，在晶界处具有玻璃态的氮化硅陶瓷的机械性能会大大下降。 氮化硅硬度高，HV = 18〜21GPa，HRA = 91〜93.摩擦系数低(0.02〜0.35)，自润滑能力强。

　　氮化硅的热膨胀系数小，致密氮化硅陶瓷的线性膨胀系数约为3.3 * 10-6 /℃，它具有良好的导热性和良好的抗热震性，从室温到1000°C的热冲击不会破裂，氮化硅具有稳定的化学性质，可被除氢 氟酸以外的所有无机酸腐蚀，弱碱腐蚀和有色金属熔体腐蚀，氮化硅陶瓷既可以在室温下也可以在高温下。 室温下干燥介质中的电阻率为10-15〜10-16Ω.m，氮化硅陶瓷抛光后具有金属光泽。

　　焙烧过程对氮化硅陶瓷的性能有重要影响，作为非氧化物陶瓷，Si3N4是扩散系数低且难以烧结的共价键结合的化合物，通常通过添加烧结助剂，例如MgO，Y2O3.Al2O3.AlN等，在高温下形成液相，加压(热压，大气压或热等静压)或化学反应以促进烧结，反应烧结方法简单，烧结收缩小，成本低。适用于制造结构复杂，尺寸精度高，耐高温，耐腐蚀和电绝缘的结构零件，但机械性能较差，可以通过重新结合来改善氮化硅陶瓷的性能。