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全武汉仪器/仪表信息
共找到 153 条信息-
KV级高压电源3500V高压程控电源
E系列KV级高压电源3500V高压程控电源特点和优势： 十ms级的上升沿和下降沿； 单台最大3500V的输出； 0.1%测试精度； 同步电流或电压测量； 支持程控恒压测流，恒流测压，便于扫描测试； 应用领域： 用于IGBT击穿电压测试,IGBT动态测试母线电容充面议2025-02-27 -
PL202型脉冲式直流电源
PL202型脉冲式直流电源特点和优势： 超窄至1us的脉冲； 大到30A的脉冲电流； 最大300A/us上升速度； 兼容CW和QCW模式； 丰富的软件接口； PL202型脉冲式直流电源应用 医疗、美容激光器，典型波长为808nm等 光纤、固体激光器的泵浦源，典型波长为53面议2025-02-27 -
半导体器件IV+CV测试仪
半导体器件IV+CV测试仪认准普赛斯仪表，普赛斯仪表推出更高精度、更大直流的SXXB系列高精度数字源表，相比于传统S系列源表，准确度提升至±0.03%，直流电流升级至3A，可为半导体行业提供更加精准、稳定的测试方案，详询一八一四零六六三四七六； S型数字源表应用优势：面议2025-02-27 -
led&二极管反向漏电流测试设备
led&二极管反向漏电流测试设备测试项目 集电极-发射极电压Vces，集电极-发射极击穿电压V(br)ces、集电极-发射极饱和电压Vcesat 集电极截止电流Ices、栅极漏电流Iges 栅极-发射极电压Vges、栅极-发射极阈值电压Vge(th) 输入电容、输出电容、反向传输电容 续流二极管压降面议2025-02-27 -
二极管&led反向击穿电压测试设备
二极管&led反向击穿电压测试设备具有输出及测量电压高（3500V）、能输出及测量微弱电流信号（1nA）的特点。设备工作在第一象限，输出及测量电压0~3500V，输出及测量电流0~100mA。支持恒压恒流工作模式，同时支持丰富的I-V扫描模式。详询一八一四零六六三四七六； 二极管&面议2025-02-27 -
硅基and碳化硅特性曲线测试设备
硅基and碳化硅特性曲线测试设备优势 高电压、大电流 具有高电压测量/输出能力,电压高达3500V(最大可扩展至10kV) 具有大电流测量/输出能力,电流高达6000A(多模块并联) 高精度测量 nA级漏电流, μΩ级导通电阻 0.1%精度测量 模块化配置面议2025-02-27 -
大电流脉冲源表100A直流源表
HCP系列大电流脉冲源表100A直流源表具备直流和脉冲输出能力，最大脉冲输出电流100A，最大输出电压100V，支持四象限工作，输出及测量精度均可达0.1%，可广泛用于功率MOS测试、肖特二极管测试、整流桥堆测试及太阳能电池模组测试等。详询一八一四零六六三四七六； 应用面议2025-02-27 -
uApA级国产电流源
uApA级国产电流源认准普赛斯仪表，普赛斯仪表推出更高精度、更大直流的SXXB系列高精度数字源表，相比于传统S系列源表，准确度提升至±0.03%，直流电流升级至3A，可为半导体行业提供更加精准、稳定的测试方案；详询一八一四零六六三四七六； S型数字源表应用优势： 1、面议2025-02-27 -
国产S系列数字源表有哪些优势
国产S系列数字源表有哪些优势 ◾ 性能强大-作为电压源和或电流源，并同步测量电流和或电压，支持四象限工作。可以限定电压或电流输出大小，预防器件损坏。覆盖3pA-3A的电流范围100μV-300V的电压范围，全量程测量精度0.03%。 ◾ 灵活多样-支持两线制和四线制测量，更准确的面议2025-02-27 -
宽禁带材料电性能分析数字源表
宽禁带材料电性能分析数字源表认准生产厂家武汉普赛斯仪表，详询一八一四零六六三四七六；普赛斯S系列、P系列源表标准的SCPI指令集，Y秀的性价比，良好的售后服务与技术支持，普赛斯仪表是手家国产数字源表生产厂家，产品已经历3年迭代完善，对标2400、2450、2611、2601B、2面议2025-02-27 -
宽禁带器件测试高电压大电流源
GaN HEMT器件性能的评估，一般包含静态参数测试（I-V测试）、频率特性（小信号S参数测试）、功率特性（Load-Pull测试）。静态参数，也被称作直流参数，是用来评估半导体器件性能的基础测试，也是器件使用的重要依据。以阈值电压Vgs（th）为例，其值的大小对研发人员设计器面议2025-02-27 -
半导体激光器参数测试设备激光器老化测试系统
普赛斯半导体激光器参数测试设备激光器老化测试系统是专为解决千瓦级大功率半导体激光器芯片及泵浦激光器模块需要使用窄脉冲大电流测试和老化、芯片发热严重等问题而创新开发推出的一套通用性好、大功率、循环水冷的老化测试系统。产品具有大电流窄脉冲恒流特性好、电流稳定面议2025-02-27 -
光电器件特性参数分析数字源表
光电探测器一般需要先对晶圆进行测试,封装后再对器件进行二次测试,完成Z终的特性分析和分拣操作;光电探测器在工作时,需要施加反向偏置电压来拉开光注入产生的电子空穴对,从而完成光生载流子过程,因此光电探测器通常在反向状态工作;测试时比较关注暗电流、反向击穿电压、结电面议2025-02-27 -
光电二极管性能测试精密源表
光电探测器光电测试 光电探测器一般需要先对晶圆进行测试,封装后再对器件进行二次测试,完成Z终的特性分析和分拣操作;光电探测器在工作时,需要施加反向偏置电压来拉开光注入产生的电子空穴对,从而完成光生载流子过程,因此光电探测器通常在反向状态工作;测试时比较关面议2025-02-27 -
半导体器件测试仪IV曲线仪
半导体器件测试仪IV曲线仪认准普赛斯仪表，详询18140663476；普赛斯仪表推出更高精度、更大直流的SXXB系列高精度数字源表，相比于传统S系列源表，准确度提升至±0.03%，直流电流升级至3A，可为半导体行业提供更加精准、稳定的测试方案 S型数字源表应用优势： 1、多功能面议2025-02-27 -
精密电流源直流源表
普赛斯数字源表集电压源、电流源、电压表、电流表、电子负载功能于一体，支持四象限工作、微弱电流10pA输出测量、3500V高压下nA级测量、1000A脉冲大电流输出，全系列产品丰富，新推出更高精度、更大直流的SXXB系列高精度数字源表，相比于传统S系列源表，准确度提升至±0.03%面议2025-02-27 -
功率半导体测试平台功率器件测试设备
普赛斯功率半导体测试平台功率器件测试设备特点和优势： 单台Z大3500V输出； 单台Z大1000A输出，可并联后Z大4000A； 15us的超快电流上升沿； 同步测量； 国标全指标的自动化测试； 可定制夹具； nA级电流和uΩ级电阻测量； 测试项目 集电极-发射极电压Vces，集电面议2025-02-27 -
半导体芯片测试设备IV曲线扫描仪器
众所周知，半导体芯片测试设备IV曲线扫描仪器应用的专业领域十分广泛，分别有：微电子、集成电路、物理与电子工程、航空航天、材料科学与工程、材料与能源、电子科学与工程、光电信息与能源工程等等等... 数字源表作为电学测量的常用仪器，在高校和研究所的相关实验室内几面议2025-02-27 -
电参数测量多合一数字源表
分立器件特性参数测试是对待测器件（DUT）施加电压或电流，然后测试其对激励做出的响应，通常分立器件特性参数测试需要几台仪器完成，如数字万用表、 电压源、电流源等。然而由数台仪器组成的系统需要分别进行编程、同步、连接、测量和分析，过程既复杂又耗时，又占用过多测面议2025-02-27 -
igbt模块测试设备功率器件测试仪
普赛斯igbt模块测试设备功率器件测试仪，集多种测量和分析功能一体，可以精准测量不同封装类型功率器件（如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半导体等）的静态参数，具有高电压和大电流特性、μΩ级J确测量、nA级电流测量能力等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容，如面议2025-02-27 -
pA级微电流数字源表IV测试源表
普赛斯数字源表集电压源、电流源、电压表、电流表、电子负载功能于一体，支持四象限工作、微弱电流10pA输出测量、3500V高压下nA级测量、1000A脉冲大电流输出，全系列产品丰富，pA级微电流数字源表IV测试源表认准普赛斯仪表，详询一八一四零六六三四七六； 源表特点： 多面议2025-02-27 -
半导体分立器件测试设备参数分析源表
半导体分立器件泛指二极管、三极管等具有单一功能的半导体元器件，用于电力电子设备的整流、稳压、开关、混频等电路中，是构成电力电子变化装置的核心器件之一，在消费电子、汽车电子、电子仪器仪表、工业及自动化控制、计算机及周边设备、网络通讯等众多国民经济领域均有广面议2025-02-27 -
电流阶跃测试电源高电流脉冲源
电流阶跃测试电源高电流脉冲源为脉冲恒流源，具有输出电流大（1000A）、脉冲边沿陡（15uS）、支持两路脉冲电压测量（峰值采样）、支持输出极性切换等特点。 设备可广泛应用于肖特基二极管、整流桥堆、IGBT器件、IGBT半桥模块、IPM模块等需要高电流的测试场合，使用该设面议2025-02-27 -
直流30A大电流数字源表
HCP系列直流30A大电流数字源表具备直流和脉冲输出能力，最大脉冲输出电流100A，最大输出电压100V，支持四象限工作，输出及测量精度均可达0.1%，可广泛用于功率MOS测试、肖特二极管测试、整流桥堆测试及太阳能电池模组测试等。详询一八一四零六六三四七六； 应用 •纳米材面议2025-02-27 -
SMU电流模块
SMU电流模块认准普赛斯仪表，普赛斯仪表推出更高精度、更大直流的SXXB系列高精度数字源表，相比于传统S系列源表，准确度提升至±0.03%，直流电流升级至3A，可为半导体行业提供更加精准、稳定的测试方案;详询一八一四零六六三四七六； S型数字源表应用优势： 1、多功能面议2025-02-27 -
功率模块igbt测试设备igbt测试仪
普赛斯功率模块igbt测试设备igbt测试仪，集多种测量和分析功能一体，可以精准测量不同封装类型功率器件（如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半导体等）的静态参数，具有高电压和大电流特性、μΩ级J确测量、nA级电流测量能力等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容，如面议2025-02-27 -
压力传感器测试仪
通常，压力传感器Ⅳ特性测试需要几台仪器完成，如数字表、电压源、电流源等。然而，由数台仪器组成的系统需要分别进行编程、同步、连接、测量和分析，过程既复杂又耗时，还占用过多测试台的空间。而且，使用单一功能的测试仪器和激励源还存在复杂的相互间触发操作，有更大的面议2025-02-27 -
半导体器件电性能测试仪表高精度数字源表
半导体器件电性能测试仪表高精度数字源表找普赛斯仪表，普赛斯数字源表国产自主研发，对标美国2400，B2901；可实现“源”的输出和“表”的测量同步进行，提高测试效率；支持四象限工作，测量范围广，电压高至300V，电流低至10pA；支持USB存储，一键导出数据报告；5寸触摸显示屏面议2025-02-27 -
数字源表搭建MOS电容CV特性测试实验平台
系统方案 普赛斯半导体功率器件C-V测试系统主要由源表、LCR表、矩阵开关和上位机软件组成。LCR表支持的测量频率范围在0.1Hz~1MHz，源表(SMU)负责提供可调直流电压偏置，通过矩阵开关加载在待测件上。 进行 C-V 测量时，通常在电容两端施加直流偏压，同时利用一个交流信面议2025-02-27 -
SMU数字源表搭建微电子教学实验平台
在半导体材料和器件的研究中，电性能测试是必不可少的环节。随着半导体技术的提升，微电子工艺逐渐复杂，如何对微电子材料器件进行高效率测试成为业内关注的重点。普赛斯仪表陆续推出多型号国产化数字源表SMU，为进一步打通测试融合壁垒，打造闭环解决方案，通过对半导体高面议2025-02-27 -
半导体性能检测设备iv曲线测试仪
实施特性参数分析的最佳工具之一是数字源表（SMU）。普赛斯历时多年打造了高精度、大动态范围、率先国产化的源表系列产品，集电压、电流的输入输出及测量等功能于一体。可作为独立的恒压源或恒流源、伏特计、安培计和欧姆表，还可用作精密电子负载。其高性能架构还允许将其面议2025-02-27 -
电化学实验循环伏安测试仪
电化学电池的三个电极是工作电极 (WE)、基准电极 (RE) 和反（或辅助）电极 (CE)。WE 和 CE 之间使用双极性可编程电源进行电压扫描。RE与 WE 之间的电位E使用数字电压表测量，然后调节双极性可编程电源输出电压VS，使E为希望的电位值，这时使用万用表测量流入WE的电流I。之后面议2025-02-27 -
功率半导体参数测试仪3500V/1000A
普赛斯PMST功率半导体参数测试仪3500V/1000A，主要包括测试主机、测试线、测试夹具、电脑、上位机软件，以及相关通讯、测试配件等构成。整套系统采用普赛斯自主开发的测试主机，内置多种规格电压、电流、电容测量单元模块。结合专用上位机测试软件，可根据测试项目需要，设面议2025-02-27 -
半导体器件参数测试仪半导体参数分析仪
SPA-6100半导体器件参数测试仪半导体参数分析仪是武汉普赛斯自主研发、精益打造的一款半导体电学特性测试系统，具有高精度、宽测量范围、快速灵活、兼容性强等优势。产品可以同时支持DC电流-电压(I-V)、电容-电压(C-V)以及高流高压下脉冲式I-V特性的测试，旨在帮助加快前沿面议2025-02-27 -
半导体静态参数测试仪+功率器件测试设备
普赛斯仪表专业研究和开发半导体材料与器件测试的专业智能装备，产品覆盖半导体领域从晶圆到器件生产全产业链。推出基于高精度数字源表(SMU）的第三代半导体功率器件静态参数测试方案，为SiC和GaN器件提供可靠的测试手段，实现功率半导体器件静态参数的高精度、高效率测量和面议2025-02-27 -
低压型数字源表
数字源表现广泛用于半导体器件特性测试中，省钱省地，节约测试台空间，同时实现了大动态测试范围，集电压、电流输入输出及测量等多种功能于一体，普赛斯源表相对于进口源表，测试范围更广，价格更便宜！最大输出电压达300V，最小测试电流达100pA，支持四象限工作；SXXB系列面议2025-02-27
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