PMOS3401管道技术实现要素

本发明要解决的问题是提供一种PMOS3401晶体管及其形成方法。可以下降插塞和源漏区之间的接触电阻。提高形成的半导体结构的性能。

为了解决上述问题。本发明提供了一种形成PMOS3401管的方法，包括:

提供衬底；在衬底上形成栅极结构。在栅极结构两侧的衬底上的第一外延层上形成第一外延层和第二外延层，在第二外延层中掺杂调制离子。

或者，形成第一外延层和第二外延层步骤包括以下步骤:在栅极结构两侧的衬底上形成开口；通过第一外延工艺将半导体材料填充到开口中。以形成第一外延层；在第一外延层上形成第一外延层

与现有技术相比。本发明技术具有以下优点。

第二外延层构成与第一外延层一起形成PMOS3401晶体管的源漏区，第二外延层位于第一外延层上，使得后面形成的插塞与第二外延层接触连接。由于第二外延层中存在调制离子，可以有效下降后面形成的插塞与第二外延层之间的肖特基势垒。有效下降后面形成的插塞与形成的PMOS3401管的源漏区之间的接触电阻。在本发明的其他方式中。修复离子进一步掺杂第二外延层中的修复离子，并且修复离子是PMOS3401tube；因此，修复离子加入可以有效抑制第二外延层中尖峰缺点的形成，有效提高后续形成的连接层的质量，下降前端放电现象的发生概率。有助于形成的半导体结构性能的提高。

以上是PMOS3401管材及其成型方法和工艺。如果您需要了解更多。请随时联系我们！