文章摘要: 活性屏离子氮化是一种很好的阴极技术。真空室中装有与阴极高压相连的金属网筒作为活动屏,工件放在活动屏内。活性屏被气体离子轰击并加热,然后工件被活性屏的热辐射加热到氮化温度。在浸渗过程当中,工件被活性屏包围,处于电悬浮状态,离子轰击活性屏而不是
活性屏离子氮化是一种很好的阴极技术。真空室中装有与阴极高压相连的金属网筒作为活动屏,工件放在活动屏内。活性屏被气体离子轰击并加热,然后工件被活性屏的热辐射加热到氮化温度。在浸渗过程当中,工件被活性屏包围,处于电悬浮状态,离子轰击活性屏而不是工件表层,解决了DC离子渗氮技术中的边缘效应、空心阴极效应和引弧问题。采用活性屏离子氮化技术,可以对不同形状的工件进行处理,方便地测量工件的温度,还可以对奥氏体不锈钢等耐火材料进行处理。在主动屏电离过程当中,氮原子从气相到工件表层的传输机制尚未达成共识,这阻碍了该技术的应用和发展。
活性屏离子氮化机理的研究:
关于活性屏离子氮化的电离机理,人们最初提出了溅射沉积模型,即离子轰击活性屏并将其熄灭FN和FN沉积在工件表层,然后活性原子按照FeNFeNFeNFe的顺序释放出来,氮原子被工件吸收,完成氮化过程。该模型是通过改进克尔提出的DC离子氩的溅射沉积模型得到的,但Kbel模型中的FeN至今尚未观察到,因此用改进的Kbel模型解释有源屏幕的离子氮化存在一定的局限性。
活性屏离子氮化经过更深入的实验研究,人们提出了溅射吸附解吸模型,认为使用钢活性屏时,活性屏本身会熔化,产生一定厚度的铁负化合物。由于离子溅射,一些铁是负的。
活性屏离子氮化机理的研究
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